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　　高頻逆變器后級電路圖一：

　　中C1，C2分別是Q1，Q2的GD結電容，左邊上下兩個波形分別是Q1，Q2的柵極驅動波形。我們先從t1-t2死區(qū)時刻開始分析，從圖中可以看出這段時間為死區(qū)時間，也就是說這段時間內(nèi)兩管都不導通，半橋中點電壓為母線電壓的一半，也就是說C1，C2充電也是母線電壓的一半。當驅動信號運行到t2時刻時，Q1的柵極變?yōu)楦唠娖�，Q1開始導通，半橋中點的電位急劇上升，C2通過母線電壓充電，充電電流通過驅動電阻Rg和驅動電路放電管Q4，這個充電電流會在驅動電阻Rg和驅動電路放電管Q4上產(chǎn)生一個毛刺電壓，請看圖中t2時刻那條紅色的豎線。如果這個毛刺電壓的幅值超過了Q2的開啟電壓Qth，半橋的上下兩管就共通了。有時候上下兩管輕微共通并不一定會炸管，但會造成功率管發(fā)熱，在母線上用示波器觀察也會看到很明顯的干擾毛刺。只有共通比較嚴重的時候才會炸管。還有一個特性就是母線電壓越高毛刺電壓也越高，也越會引起炸管。

　　高頻逆變器后級電路圖二：

　　13腳的邏輯地和2腳的驅動地在布線時要分開來走，邏輯地一般要接到5V濾波電容的負端，再到高壓濾波電容的負端，驅動地一般要接到12-15V驅動電源的濾波電容的負端，再到兩個低端高壓MOS管中較遠的那個MOS的源極。如下圖：

　　在正弦波逆變器中因為載波的頻率較高，母線電壓也較高，自舉二極管要使用高頻高壓的二極管。因為載波占空比接近100%，自舉電容的容量要按照基波計算，一般需要取到47-100uF，最好并一個小的高頻電容。

　　高頻逆變器后級電路圖三：

　　圖1電路中，由芯片IC1及其外圍電路、三極管VT1、VT3、MOS功率管VT2、VT4以及變壓器T1組成12V直流變換為220V/50kHz交流的逆變電路。由芯片IC2及其外圍電路、三極管VT5、VT8、MOS功率管VT6、VT7、VT9、VT10以及220V/50kHz整流、濾波電路 VD5－VD8、C12等共同組成220V/50kHz高頻交流電變換為220V/50Hz工頻交流電的轉換電路，最后通過XAC插座輸出220V /50Hz交流電供各種便攜式電器使用。圖1中IC1、IC2采用了TL494CN（或 KA7500C）芯片，構成車載逆變器的核心控制電路。TL494CN是專用的雙端式開關電源控制芯片，其尾綴字母CN表示芯片的封裝外形為雙列直插式塑封結構，工作溫度范圍為0℃-70℃，極限工作電源電壓為7V～40V，最高工作頻率為300kHz。

　　高頻逆變器后級電路圖四：

　　圖1電路中IC1的15腳外圍電路的R1、C1組成上電軟啟動電路。上電時電容C1兩端的電壓由0V逐步升高，只有當C1兩端電壓達到5V以上時，才允許IC1內(nèi)部的脈寬調制電路開始工作。當電源斷電后，C1通過電阻R2放電，保證下次上電時的軟啟動電路正常工作。

　　IC1的15腳外圍電路的R1、Rt、R2組成過熱保護電路，Rt為正溫度系數(shù)熱敏電阻，常溫阻值可在150Ω～300Ω范圍內(nèi)任選，適當選大些可提高過熱保護電路啟動的靈敏度。

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