三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)管時(shí)，一般怎么選擇？
三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者存在相似之處，在選型時(shí)需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。
1.根據(jù)最大耐壓選型
三極管的集電極C和發(fā)射極E之間所能承受的最大電壓參數(shù)為V(BR)CEO，工作時(shí)CE之間的電壓不能超過(guò)規(guī)定的數(shù)值，否則三極管會(huì)永久性損壞，以9013為例VCEO為25V，即CE之間最大不能超過(guò)25V。
MOS管在使用時(shí)漏極D和源極S之間也存在最大電壓，MOS管在工作時(shí)DS兩端的電壓不能超過(guò)規(guī)定值。一般而言MOS管的耐壓值比三極管的耐壓值高很多。
三極管有ICM參數(shù)，即集電極的過(guò)電流能力，MOS管的過(guò)電流能力用ID來(lái)表示。電流工作時(shí)流過(guò)三極管/MOS管的電流不能超過(guò)規(guī)定值，否則器件被燒壞。
從工作穩(wěn)定性考慮，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。
3.工作溫度
商業(yè)級(jí)芯片：一般范圍為0至+70℃；
工業(yè)級(jí)芯片：一般范圍為-40至+85℃；
軍工級(jí)芯片：一般范圍為-55℃至+150℃；
要根據(jù)產(chǎn)品的使用場(chǎng)合選擇合適的芯片。
4.根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇
三極管和MOS管都有開(kāi)關(guān)頻率/響應(yīng)時(shí)間的參數(shù)，如果是用在高頻電路中必須考慮開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)時(shí)間是否滿足使用條件。
5.其他選型條件
如MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)，MOS管的VTH開(kāi)啟電壓等。
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