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前言：
    有關(guān)本文所談?wù)摰臒o刷電機內(nèi)容，只涉及低速飛行類航模電調(diào)的小功率無傳感器應(yīng)用，講解的理論比較淺顯易懂，旨在讓初學者(象筆者本人)對無刷電機有一個比較快的認識，掌握基本原理和控制方法，可以在短時間內(nèi)達到應(yīng)用目的。理論性的內(nèi)容涉及模擬電路知識、基礎(chǔ)電子線路，理論性強的關(guān)鍵內(nèi)容會在文中用圖表的形式加以說明。
    因本人水平有限，文中會有錯誤的地方，歡迎批評指正，謝謝!
開門見山：
    在講解無刷電機的無霍爾傳感器(以下簡稱無感)應(yīng)用原理前，本文假設(shè)讀者己對有感無刷電機的工作原理有所了解。   <<版權(quán)聲明：本站內(nèi)容部分來源于網(wǎng)絡(luò)，如侵犯到你的權(quán)利請及時與我們聯(lián)系更正，聯(lián)系QQ:316520686�！�

1．三相驅(qū)動橋
    下圖為無刷電機的三相全橋驅(qū)動電路，使用六個N溝道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率輸出元件，工作時輸出電流可達數(shù)十安。為便于描述，該電路有以下默認約定：Q1/Q2/Q3稱做驅(qū)動橋的“上臂”，Q4/Q5/Q6稱做“下臂”。
溫馨提示：將鼠標指針放在圖片上，滾動鼠標可以動態(tài)改變圖片大小，方便分析電路圖。
    圖中R1/R2/R3為Q1/Q2/Q3的上拉電阻，連接到二極管和電容組成的倍壓整流電路(原理請自行分析)，為上臂驅(qū)動管提供兩倍于電源電壓(2×11V)的上拉電平，使上臂MOSFET在工作時有足夠高的VGS壓差，降低MOSFET大電流輸出時的導通內(nèi)阻，詳細數(shù)據(jù)可參考MOS管DataSheet。
    上臂MOS管的G極分別由Q7/Q8/Q9驅(qū)動，在工作時只起到導通換相的作用。下臂MOS由MCU的PWM輸出口直接驅(qū)動，注意所選用的MCU管腳要有推挽輸出特性。
    驅(qū)動橋選用N溝道MOSFET的好處：   <<版權(quán)聲明：本站內(nèi)容部分來源于網(wǎng)絡(luò)，如侵犯到你的權(quán)利請及時與我們聯(lián)系更正，聯(lián)系QQ:316520686�！�

大電流N溝道MOS可供選擇的型號眾多，貨源充足便于購買，使用的MOSFET類型減少，間接降低采購元件的難度。
在圖1中，上臂MOS管Q7/Q8/Q9驅(qū)動，邏輯電平和下臂MOS剛好相反，這樣的好處是，MCU上電時I/O默認為1，上臂MOS不會導通。只有下臂MOS導通，不會有電流驅(qū)動橋，消除了潛在電路隱患。

C8是整個電調(diào)的電源濾波電容，使用中要接上，否則無刷電機的反電動勢疊加在電源上不能被濾除，由倍壓電路整流后的電壓高達30V左右，己接近MOSFET的VGS上限，會損壞MOSFET。 <<版權(quán)聲明：本站內(nèi)容部分來源于網(wǎng)絡(luò)，如侵犯到你的權(quán)利請及時與我們聯(lián)系更正，聯(lián)系QQ:316520686�！�

2．反電動勢波形
溫馨提示：將鼠標指針放在圖片上，滾動鼠標可以動態(tài)改變圖片大小，方便分析電路圖。
上圖為無刷電機運轉(zhuǎn)中的理想反電動勢波形，紅線標出來的是反電動勢的過零點。兩個虛線間是60度電氣角度，不要理解成電機的機械角度。常用航模電機屬于無刷三相六拍電機，每個電周期有六個。星形接法中(Y形)在每一時刻電機的通電線圈只有兩相，另一相線圈懸空，懸空的線圈會產(chǎn)生反電動勢，反電動勢來源于電機磁體旋轉(zhuǎn)而造成本線圈切割磁力線和另兩相線圈通電時的互感。容－源－電－子－網(wǎng)－為你提供技術(shù)支持

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