介紹LED封裝的取光效率
其中n2等于1，即空氣的折射率，n1是GaN的折射率，由此計算得到臨界角θ0約為25.8度。在這種
下，能射出的光只有入射角≤25.8度
空間立體角內(nèi)的光，據(jù)報導，目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右，
，
芯片晶體的內(nèi)部吸收，能射出到晶體外面光線的比例很少。據(jù)報導，目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右。同樣，芯片發(fā)出的光要透過封裝材料，傳送到空間，也要考慮材料對取光效率的影響。
，
提高LED產(chǎn)品封裝的取光效率，
提高n2的值，即提高封裝材料的折射率，以提高產(chǎn)品的臨界角，從而提高產(chǎn)品的封裝發(fā)光效率。
，封裝材料對光線的吸收要小。提高出射光的比例，封裝的外形最好是拱形或半球形，這樣，光線從封裝材料射向空氣時，幾乎是垂直射到界面，因而不再產(chǎn)生全反射。3.反射
反射
主要有兩
，一是芯片內(nèi)部的反射，二是封裝材料對光的反射，通過內(nèi)、外兩的反射，來提高從芯片內(nèi)部射出的光通比例，減少芯片內(nèi)部吸收，提高功率LED成品的發(fā)光效率。從封裝
，功率型LED通常是將功率型芯片裝配在帶反射腔的金屬支架或基板上，支架式的反射腔
是采取電鍍方式提高反射效果，而基板式的反射腔是采用拋光方式，有條件的還會進行電鍍，但
兩種方式受模具精度及工藝影響，后的反射腔有
的反射效果，但并不理想。目前國內(nèi)制作基板式的反射腔，拋光精度不足或金屬鍍層的氧化，反射效果較差，這樣導致
光線在射到反射區(qū)后被吸收，無法按預期的目標反射至出光面，從而導致最終封裝后的取光效率偏低。我們
多的研究和試驗，研制成一種具有自主知識產(chǎn)權(quán)的使用有機材料涂層的反射工藝，通過這種工藝，使得反射到載片腔內(nèi)的光線吸收很少，能將大部分射到其上面的光線反射至出光面。這樣后的產(chǎn)品取光效率與之前相比可提高30%-50%。我們目前1W白光功率LED的光效可達40-50lm/W(在遠方PMS-50光譜分析測試儀器上測試結(jié)果)，獲得了很好的封裝效果。4.熒光粉選擇與涂覆
對于白色功率型LED
，發(fā)光效率的提高還與熒光粉的選擇和工藝有關(guān)。提高熒光粉激發(fā)藍色芯片的效率，首先熒光粉的選擇要合適，
激發(fā)波長、顆粒度大小、激發(fā)效率等，需全面考核，兼顧各個性能。其次，熒光粉的涂覆要均勻，最好是
發(fā)光芯片各個發(fā)光面的膠層厚度均勻，以免因厚度不均造成局部光線無法射出，也可改善光斑的質(zhì)量。
的散熱設(shè)計對提高功率型LED產(chǎn)品發(fā)光效率有著顯著的作用，也是確保產(chǎn)品壽命和可靠性的前提。而設(shè)計的出光通道，這里著重指反射腔、填充膠等的結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料選擇和工藝，可以有效提高功率型LED的取光效率。對功率型白光LED，熒光粉的選擇和工藝設(shè)計，對光斑的改善和發(fā)光效率的提高也至關(guān)重要。本文由m.zhongyiwenxian.com.cn整理提供，部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請與我們聯(lián)系更正。容－源－電－子－網(wǎng)－為你提供技術(shù)支持
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