

實(shí)物圖

實(shí)際組裝圖
這樣做可以使小板與 PCB 大板之間緊密貼合,不會有浮高現(xiàn)象。
17. 電路設(shè)計(jì),肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路,這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒。
18. 電路調(diào)試,15W 以上功率的 RCD 吸收不要用 1N4007,因?yàn)?1N4007 速度慢 300uS,壓降也大1.3V,老化過程中溫度很高,容易失效造成炸機(jī)。
19. 電路調(diào)試,輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量,避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。
之前是犯了這個(gè)很低級的錯誤,14.5V 輸出用16V 耐壓電容,量產(chǎn)有1%的電容失效不良。
20. 電路設(shè)計(jì),大電容或其它電容做成臥式時(shí),底部如有跳線需放在負(fù)極電位,這樣跳線可以不用穿套管,節(jié)省成本。
21. 整流橋堆、二極管或肖特基,晶元大小元件承認(rèn)書或在 BOM 表要有描述,如67mil(理由:管控供應(yīng)商送貨一致性,避免供應(yīng)商偷工減料,影響產(chǎn)品效率)。
令人煩惱的就是供應(yīng)商做手腳,導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級能效,原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。
22. 電路設(shè)計(jì),Snubber 電容,因?yàn)橛挟愐魡栴},優(yōu)先使用 Mylar 電容,這是處理異音的方法之一。
23. 電路設(shè)計(jì),啟動電阻如果使用在整流前,要加串一顆幾百 K 的電阻。電阻短路時(shí),不會造成 IC 和 MOSFET 損壞。

電路圖
24. 電路設(shè)計(jì),高壓大電容并一顆103P 瓷片電容位置,理由:對輻射30-60MHz 都有一定的作用?臻g允許的話,可以給 PCB Layout 留一個(gè)位置,方便 EMI 整改。
25. 在進(jìn)行 EMS 項(xiàng)目測試時(shí),需測試出產(chǎn)品的最大程序,直到產(chǎn)品損壞為止。
例如 ESD 雷擊等,一定要打到產(chǎn)品損壞為止,并做好相關(guān)記錄,看產(chǎn)品余量有多少,做到心中有數(shù)。
26. 電路設(shè)計(jì),異常測試時(shí),短路開路某個(gè)元件如果還有輸出電壓(m.zhongyiwenxian.com.cn)則要進(jìn)行 LPS 測試,過流點(diǎn)不能超過8A(超過 8A 是不能申請 LPS)。
27. 安規(guī)開殼樣機(jī),所有可選插件元件要裝上供拍照用,L、N 線和 DC 線與 PCB 要點(diǎn)白膠固定。
這個(gè)是經(jīng)常犯的一個(gè)毛病,經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機(jī)構(gòu),后面來來回回改來改去的。
28. 電路調(diào)試,冷機(jī)時(shí) PSR 需1.15倍電流能開機(jī),SSR 需1.3倍電流能開機(jī),避免老化后啟動不良。PSR 現(xiàn)在很多芯片都可以實(shí)現(xiàn) “零恢復(fù)” OCP 電流,比如 ME8327N,具有 “零恢復(fù)” OCP 電流功能。
29. 電路設(shè)計(jì),請注意使用的 Y 電容總?cè)萘?不能超過222P, 因?yàn)橛新╇娏鞯挠绊憽a槍Σ煌惨?guī),漏電流要求也不一樣,在設(shè)計(jì)時(shí)需特別留意。
30. 反激拓補(bǔ)結(jié)構(gòu),變壓器 B 值需小于3500高斯,如果變壓器飽和一切動作將會失控,如下左圖為正常,右圖為飽和。


變壓器的磁飽和一定要確認(rèn),重中之重,這是首條安全性能保障,包括過流點(diǎn)的磁飽和、開機(jī)瞬間的磁飽和、輸出短路的磁飽和、高溫下的磁飽和、高低壓的磁飽和。容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持
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