(1)過(guò)電流損壞
　　
　　避免IGBT管發(fā)生鎖定效應(yīng)而損壞，在電路設(shè)計(jì)中應(yīng)保證IGBT管的最大工作電流不超過(guò)IGBT管的IDM值，注意可適當(dāng)加大驅(qū)動(dòng)電阻RG來(lái)延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間，減小IGBT管的di/dt。驅(qū)動(dòng)電壓的大小也會(huì)影響IGBT管的鎖定效應(yīng)，驅(qū)動(dòng)電壓低，承受過(guò)電流時(shí)間長(zhǎng)。IGBT管加負(fù)偏壓，IGBT管生產(chǎn)廠家推薦加-5V左右的反偏電壓。在有負(fù)偏壓的下，驅(qū)動(dòng)正電壓在10～15V。IGBT管發(fā)射極的電流可在5～10μs內(nèi)超過(guò)額定電流的4～10倍，IGBT管設(shè)有驅(qū)動(dòng)負(fù)偏壓。
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　　負(fù)載沖擊特性各不，且供電的設(shè)備發(fā)生電源短路故障，在設(shè)計(jì)中采取限流措施進(jìn)行IGBT管的電流限制也是必需的，可考慮采用IGBT管廠家提供的驅(qū)動(dòng)厚膜電路。如FUJI公司的EXB841、EXB840以及三菱公司的M57959AL、M57962CL，對(duì)IGBT管的集電極電壓進(jìn)行檢測(cè)，IGBT管發(fā)生過(guò)電流，則由內(nèi)部電路關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這種辦法有時(shí)還是不能保護(hù)IGBT管，IR公司推薦的短路保護(hù)方法是：首先檢測(cè)通態(tài)壓降UCE。UCE超過(guò)設(shè)定值，保護(hù)電路馬上將驅(qū)動(dòng)電壓降為8V，于是IGBT管由飽和轉(zhuǎn)入放大區(qū)，通態(tài)電阻增大，短路電流下降，4μs連續(xù)檢測(cè)通態(tài)壓降UCEO，正常，將驅(qū)動(dòng)電壓恢復(fù)正常；未恢復(fù)，將驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷，使集電極電流減為零。這樣實(shí)現(xiàn)短路電流軟關(guān)斷，可以避免快速關(guān)斷造成的過(guò)大di/dt損壞IGBT管。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�

　　，根據(jù)三菱公司的最新資料，三菱公司推出的F系列IGBT管均內(nèi)含限流電路(RTC Circuit)，當(dāng)發(fā)生過(guò)流時(shí)，在10μs內(nèi)將IGBT管的驅(qū)動(dòng)電壓減為9V，配合M57160AL驅(qū)動(dòng)厚膜電路可以快速實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷保護(hù)IGBT管。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�

　　(2)過(guò)電壓損壞
　　
　　防止過(guò)電壓損壞的方法有：優(yōu)化主電路的工藝結(jié)構(gòu)，通過(guò)縮小大電流回路的路徑來(lái)減小線(xiàn)路寄生電感；適當(dāng)IGBT管的驅(qū)動(dòng)電阻RG，使開(kāi)關(guān)速度減慢（但開(kāi)關(guān)損耗也了）；設(shè)計(jì)緩沖電路，對(duì)尖峰電壓進(jìn)行抑制。用于緩沖電路中的二極管是快恢復(fù)二極管，電容是損耗小、頻率特性好的高頻薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。電路有耗能式和回饋式，回饋式又有無(wú)源式和有源式兩種，詳細(xì)電路設(shè)計(jì)可參見(jiàn)所選器件的技術(shù)手冊(cè)。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�

　　IGBT管的UGE的保證值為+20V，若超出保證值，將會(huì)導(dǎo)致IGBT管損壞，因而在柵極和發(fā)射極的電壓不能超出保證值。此外，在柵極和發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，若在集電極和發(fā)射極間加上電壓，隨著集電極電位的變化，有漏電流(i)流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。集電極和發(fā)射極處于高電壓，使芯片發(fā)熱而損壞。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�

　　在應(yīng)用中，IGBT管的柵極回路處于開(kāi)路，在主回路上加上電壓時(shí)，也將導(dǎo)致IGBT管損壞。為防止這類(lèi)發(fā)生，應(yīng)在IGBT管的柵極和發(fā)射極接一只10kΩ左右的電阻。為防止因靜電而造成IGBT管損壞，在IGBT管應(yīng)用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�

　　①在使用模塊時(shí)，手持IGBT管組件時(shí)，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

　�、谠谟脤�(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí)，在配線(xiàn)未布好之前，不要先接上模塊。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

　�、郾M量在底板接地的下操作。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�

　�、墚�(dāng)觸摸IGBT管的驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻（1MΩ左右）接地進(jìn)行放電，然后再觸摸。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

　�、菰诤附幼鳂I(yè)時(shí)，電烙鐵產(chǎn)生感應(yīng)電壓。防止感應(yīng)電壓的產(chǎn)生，應(yīng)使電烙鐵處于的接地。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�

　　(3)過(guò)熱損壞
　　
　　可通過(guò)降額使用，加大散熱器，涂敷導(dǎo)熱膠，強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻，設(shè)置過(guò)溫度保護(hù)等方法來(lái)過(guò)熱損壞的問(wèn)題。   <<版權(quán)聲明：本文由容源電子網(wǎng)（m.zhongyiwenxian.com.cn）整理提供，部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正�！�